
隨著5G通訊、電動車、碳中和….等趨勢加速展開,氮化鎵(GaN)因具備更高效節能、更高功率等優勢,漢威光電挾過去砷化鎵高頻產品的開發經驗,也投入節能相關元件開發。創新的應用了GaN(氮化鎵)材料的卓越性能,成功開發出導通電阻低於矽,甚至比機械繼電器觸點更好的氮化鎵功率開關電晶體,漢威GaNFET設計具有前所未聞的高效率,小尺寸和極低的熱損失。
Model | VDS (V) | IDS (A) | RDS(on) (mΩ) | Ciss (pF) | Coss(pF) | Crss(pF) | QG(nC) | Package |
HWP601 | 650 | 11 | 150 | 70 | 20 | 0.4 | 2.2 | DFN 5x6 |
HWP602 | 650 | 8 | 225 | 54 | 14 | 0.3 | 1.5 | DFN 5x6 |
HWP603 | 650 | 11 | 150 | 70 | 20 | 0.4 | 2.2 | DFN 8x8 |
HWP604 | 650 | 8 | 225 | 54 | 14 | 0.3 | 1.5 | DFN 8x8 |