隨著5G通訊、電動車、碳中和….等趨勢加速展開,氮化鎵(GaN)因具備更高效節能、更高功率等優勢,漢威光電挾過去砷化鎵高頻產品的開發經驗,也投入節能相關元件開發。創新的應用了GaN(氮化鎵)材料的卓越性能,成功開發出導通電阻低於矽,甚至比機械繼電器觸點更好的氮化鎵功率開關電晶體,漢威GaNFET設計具有前所未聞的高效率,小尺寸和極低的熱損失

Model VDS (V) IDS (A) RDS(on) (mΩ) Ciss (pF) Coss(pF) Crss(pF) QG(nC) Package
HWP601 650 11 150 70 20 0.4 2.2 DFN 5x6
HWP602 650 8 225 54 14 0.3 1.5 DFN 5x6
HWP603 650 11 150 70 20 0.4 2.2 DFN 8x8
HWP604 650 8 225 54 14 0.3 1.5 DFN 8x8



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