有鑑於無線通訊之發展日益蓬勃,對高品質通訊之需求日益殷切, 漢威光電於1991年成立台灣第一家砷化鎵元件製造廠, 提供砷化鎵元件及高頻通訊模組,以滿足高頻無線通訊之需要,並於 2022年正式轉型成為無晶圓廠半導體公司。
主要業務為微波砷化鎵IC及微波通訊用組件,在微波線路設計及砷化鎵IC生產方面具有極為深厚之研 發能力。研發之微波產品包含L, C Band高功率模組、S Band VCO 及 PLL、S及Ku Band低雜訊降頻器、S Band傳送/接收器、RF Switch MMIC等砷化鎵元件技術方面。
隨著5G通訊、電動車、碳中和….等趨勢加速展開,因第三代半導體氮化鎵(GaN)其寬能隙具備更高效節能、更高功率等優勢, 漢威光電挾過去砷化鎵高頻產品的開發經驗, 也投入節能相關元件開發,創新的應用了氮化鎵(GaN)材料的卓越性能,成功開發出導通電阻低於矽, 甚至比機械繼電器觸點更好的氮化鎵功率開關電晶體,漢威GaNF ET設計具有前所未聞的高效率,小尺寸和極低的熱損失。
2022
正式轉型成為無晶圓廠半導體公司
2019
隆達電子入股
2016
產學合作開發GaN元件技術
2003
GaAs pHEMT Switch 量產
2001
4吋MESFET Switch 量產
2000
4吋晶圓生產製造
1997
1.9 GHz 功率模組 / 2.4 GHz wireless LAN設備生產
1996
900 MHz展頻射頻模組生產
1994
高頻單晶積體電路(MMIC)晶圓製造,GaAs RF Switch製造
1992
3吋晶圓生產製造
1991
成立



公司沿革 - Milestone
2022
正式轉型成為無晶圓廠半導體公司
2019
隆達電子入股
2016
產學合作開發GaN元件技術
2003
GaAs pHEMT Switch 量產
2001
4吋MESFET Switch 量產
2000
4吋晶圓生產製造
1997
1.9 GHz 功率模組 / 2.4 GHz wireless LAN設備生產
1996
900 MHz展頻射頻模組生產
1994
高頻單晶積體電路(MMIC)晶圓製造,GaAs RF Switch製造
1992
3吋晶圓生產製造
1991
成立
經營理念


