漢威光電累積30年的產學合作和實作經驗並致力於全球尖端的化合物半導體技術發展,提供全方位的射頻開關晶片和高頻功率元件。

無線網通應用

漢威射頻開關優勢

漢威光電為無線連接解決方案提供完整系列的開關產品線,適用於無線路由器、消費性電腦手機、衛星定位等無線連接應用市場採用經過驗證的 IPD 和 GaAs pHEMT 製程為市場提供高頻、高功率和低功耗射頻開關,提供最佳化插入損耗、隔離和線性度。

High Frequency
Up to 8GHz

High Power
Up to 39dBm

Low Power Consumption
Less than 2uA

Variety of Package type
Meet Fluctuating demand


精選射頻開關


GaAs pHEMT元件製程

因應未來高資料速率、降低成本、提高系統容量和大規模裝置連接,追求極致晶片性能與尺寸,假晶高電子遷移率電晶體磊晶片製程因其高電子移動率、低漏電流以及較佳的雜訊特性等特別適用於射頻元件,可應用於無線長距區域網路、光纖通訊、衛星通訊、點對點微波通訊、有線電視數位電視及汽車防撞系統等應用。優勢:  高崩潰電壓、平袒互導 - 偏壓關係、電子移動率、高電流驅動力、溫度特性佳低漏電流、雜訊特性佳、高二維空間電子氣濃度。

IPD元件製程

整合式被動元件(Integrated Passive Device;IPD)具有高精度、高重複性、尺寸小、高可靠度及低成本等優點。漢威已投入薄膜IPD製程技術開發多年,其製程涵蓋: 微影製程製程技術、薄膜沉積程製程技術、蝕刻製程技術、電鍍製程技術。

GaN HEMT元件製程
從4G 到5G的飛躍,氮化鎵(GaN)高電子遷移率電晶體(HEMT)具有高電子遷移率、寬能隙能量以及高介電強度,與矽基材(Si)相較,可在高電壓和高溫環境下工作,顯示在未來微波放大和電能轉換領域佔有重要地位。GaN-on-SiC 技術可以提供更高效和更可靠的功能,以提供更清晰的通信。
 

GaN HEMT應用在微波領域的優勢

更高效率:降低功耗,節省電能,降低散熱成本,降低總運行成本。更大的寬頻:提高資訊攜帶量,用更少元件實現多頻率覆蓋降低終端產品成本。適用於擴頻通信、電子對抗等領域。更高的功率:在 4GHz以上頻段可以輸出與砷化鎵高得多的頻率,特別適合雷達、衛星通信、中繼通信等領域。

IoT 萬物聯網應用

精選物聯網用開關

漢威光電為IoT物聯網Sub-1G的應用,提供一系列從SPDT到 SP8T,低差損、高隔離度與高增益的射頻開關產品。

 
Part No. Type Frequency Insertion Loss Isolation P1dB Package
(GHz) (dB) (dB) (dBm) (mm)
HWS486 SPDT Terminated
Switch
DC-6.0 0.5-0.6 22-29 36@+3V USON6L
(1.5x1.5x0.4)
HWS504 SPDT 0.5-6.0 0.4-0.5 20-23 32@+3V USON6L
(1.5x1.5x0.4 )
HWS520 SP3T 0.5-6.0 0.5-0.9 25 30@+3V USON8L
(1.5x1.5x0.4)
HWS531 SPDT Terminated
Switch
0.5-6.0 0.7-1.1 25-31 39@+3V USON6L
(1.5x1.5x0.4 )
HWS541  SPDT 2.0-6.0 0.35-0.55 25-27 31@+3V LUSON6L
(1x1x0.4)
HWS554 SP4T
(w/ decoder)
0.5-3.8 0.45-0.50 26-37 P0.1dB XQFN14L
(2x2x0.55)
37.5@+2.6V
HWS556 SP6T
(w/ decoder)
0.5-3.8 0.45-0.55 25-35 P0.1dB XQFN14L
(2x2x0.55)
37.5@+2.6V
HWS558 SP8T
(w/ decoder)
0.5-3.0 0.50-0.75 20-34 P0.1dB XQFN14L
(2x2x0.55)
37.5@+2.6V
移動設備快充應用

漢威光電創新的應用了GaN(氮化鎵)材料的卓越性能,成功開發出導通電阻低於矽,甚至比機械繼電器觸點更好的氮化鎵功率開關電晶體,漢威GaNFET設計具有前所未聞的高效率,小尺寸和極低的熱損失。

 

High Efficiency

High Switching Speed

Smaller & Lighter

 

Energy Saving


精選HexaGaN功率開關電晶體

 

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GaN Power FET元件製程

氮化鎵高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉換效率和優秀的高頻特性。氮化鎵功率市場中大部分應用仍然是電源相關應用,例如手機的快速充電,以及大瓦數電源供應器等。另外光達(LiDAR )應用是高階解決方案也可充分利用氮化鎵功率元件中的高頻開關特性。
 

氮化鎵應用在電力電子領域的優勢

高轉換效率:氮化鎵的禁帶寬度是矽的 3 倍,擊穿電場是矽的 10 倍。同樣額定電壓的氮化鎵開關功率器件的導通電阻比矽器件低許多,可大大降低開關的導通損耗。高工作頻率氮化鎵開關器件寄生電容小可以讓整個系統周邊如電容、變壓器…… 等磁性元件的數量變少或尺寸變小减小體積及原材料的消耗。高使用環境溫度:氮化鎵的禁帶寬度高達 3.4eV本徵電子濃度極低,電子不容易被激發,因此氮化鎵器件可以工作在相對高溫環境下。