
随着5G通讯、电动车、碳中和….等趋势加速展开,氮化镓(GaN)因具备更高效节能、更高功率等优势,汉威光电挟过去砷化镓高频产品的开发经验,也投入节能相关组件开发。创新的应用了GaN(氮化镓)材料的卓越性能,成功开发出导通电阻低于硅,甚至比机械继电器触点更好的氮化镓功率开关晶体管,汉威GaNFET设计具有前所未闻的高效率,小尺寸和极低的热损失。
Model | VDS (V) | IDS (A) | RDS(on) (mΩ) | Ciss (pF) | Coss(pF) | Crss(pF) | QG(nC) | Package |
HWP601 | 650 | 11 | 150 | 70 | 20 | 0.4 | 2.2 | DFN 5x6 |
HWP602 | 650 | 8 | 225 | 54 | 14 | 0.3 | 1.5 | DFN 5x6 |
HWP603 | 650 | 11 | 150 | 70 | 20 | 0.4 | 2.2 | DFN 8x8 |
HWP604 | 650 | 8 | 225 | 54 | 14 | 0.3 | 1.5 | DFN 8x8 |