随着5G通讯、电动车、碳中和….等趋势加速展开，氮化镓（GaN）因具备更高效节能、更高功率等优势，汉威光电挟过去砷化镓高频产品的开发经验，也投入节能相关组件开发。创新的应用了GaN（氮化镓）材料的卓越性能，成功开发出导通电阻低于硅，甚至比机械继电器触点更好的氮化镓功率开关晶体管，汉威GaNFET设计具有前所未闻的高效率，小尺寸和极低的热损失。

Model VDS (V) IDS (A) RDS(on) (mΩ) Ciss (pF) Coss(pF) Crss(pF) QG(nC) Package
HWP601 650 11 150 70 20 0.4 2.2 DFN 5x6
HWP602 650 8 225 54 14 0.3 1.5 DFN 5x6
HWP603 650 11 150 70 20 0.4 2.2 DFN 8x8
HWP604 650 8 225 54 14 0.3 1.5 DFN 8x8


 

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