汉威光电累积30年的产学合作和实作经验并致力于全球尖端的化合物半导体技术发展,提供全方位的射频开关晶片和高频功率元件。其中关键技术包含:






微波通讯技术

GaAs pHEMT元件制程

因应未来高资料速率、降低成本、提高系统容量和大规模装置连接,追求极致晶片性能与尺寸,假晶高电子迁移率电晶体磊晶片制程因其高电子移动率、低漏电流以及较佳的杂讯特性等特别适用于射频元件,可应用于无线长距区域网路、光纤通讯、卫星通讯、点对点微波通讯、有线电视数位电视及汽车防撞系统等应用。优势 :  高崩溃电压、平袒互导 - 偏压关系、电子移动率、高电流驱动力、温度特性佳低漏电流、杂讯特性佳、高二维空间电子气浓度。
 

IPD元件制程

整合式被动元件(Integrated Passive Device;IPD)具有高精度、高重复性、尺寸小、高可靠度及低成本等优点。汉威已投入薄膜IPD制程技术开发多年,其制程涵盖: 微影制程制程技术、薄膜沉积程制程技术、蚀刻制程技术、电镀制程技术。

GaN HEMT元件制程

从4G 到5G的飞跃,氮化镓(GaN)高电子迁移率电晶体(HEMT)具有高电子迁移率、宽能隙能量以及高介电强度,与矽基材(Si)相较,可在高电压和高温环境下工作,显示在未来微波放大和电能转换领域占有重要地位。GaN-on-SiC 技术可以提供更高效和更可靠的功能,以提供更清晰的通信。

 

GaN HEMT应用在微波领域的优势

更高效率:降低功耗,节省电能,降低散热成本,降低总运行成本。更大的宽频:提高资讯携带量,用更少元件实现多频率覆盖,降低终端产品成本。适用于扩频通信、电子对抗等领域。更高的功率:在 4GHz以上频段可以输出与砷化镓高得多的频率,特别适合雷达、卫星通信、中继通信等领域。

功率元件技术

GaN Power FET元件制程

氮化镓高电子能量的特性使其拥有极高的电能转换效率和优秀的高频特性。氮化镓功率市场中大部分应用仍然是电源相关应用,例如手机的快速充电,以及大瓦数电源供应器等。另外,光达(LiDAR )应用是高阶解决方案也可充分利用氮化镓功率元件中的高频开关特性。
 

氮化镓应用在电力电子领域的优势

高转换效率:氮化镓的禁带宽度是矽的 3 倍,击穿电场是矽的 10 倍。同样额定电压的氮化镓开关功率器件的导通电阻比矽器件低许多,可大大降低开关的导通损耗。高工作频率:氮化镓开关器件寄生电容小,可以让整个系统周边如电容、变压器…… 等磁性元件的数量变少或尺寸变小,减小体积及原材料的消耗。高使用环境温度:氮化镓的禁带宽度高达 3.4eV本征电子浓度极低,电子不容易被激发,因此氮化镓器件可以工作在相对高温环境下。

光电元件技术

汉威光电具备红光二极体 (Red LED)、红外线二极体 (IR LED) 及垂直共振腔面射型雷射 (VCSEL) 等元件制造能力,能在品质与性能满足客户的需求。
 

光电元件应用在光电领域的优势

LED :相较传统照明,具体积小、高效率、省电、长寿命等优点,可对应各种情境下的应用。 VCSEL:与 IR LED相比,传播距离长、小角度光型,应用在感测器相关领域,发挥高精准度的特性,如无线耳机、手机、监视器等等。