汉威光电累积30年的产学合作和实作经验并致力于全球尖端的化合物半导体技术发展,提供全方位的射频开关晶片和高频功率元件。

无线网通应用

 

汉威射频开关优势

汉威光电为无线连接解决方案提供完整系列的开关产品线,适用于无线路由器、消费性计算机手机、卫星定位等无线连接应用市场,采用经过验证的 IPD 和 GaAs pHEMT 制程为市场提供高频、高功率和低功耗射频开关,提供优化插入损耗、隔离和线性度。

High Frequency
Up to 8GHz

High Power
Up to 39 dBm

Low Power Consumption
Less than 2uA

Variety of Package Type
Meet Fluctuating demand


精选射频开关


GaAs pHEMT元件制程

因应未来高资料速率、降低成本、提高系统容量和大规模装置连接,追求极致晶片性能与尺寸,假晶高电子迁移率电晶体磊晶片制程因其高电子移动率、低漏电流以及较佳的杂讯特性等特别适用于射频元件,可应用于无线长距区域网路、光纤通讯、卫星通讯、点对点微波通讯、有线电视数位电视及汽车防撞系统等应用。优势 :  高崩溃电压、平袒互导 - 偏压关系、电子移动率、高电流驱动力、温度特性佳低漏电流、杂讯特性佳、高二维空间电子气浓度。
 

IPD元件制程

整合式被动元件(Integrated Passive Device;IPD)具有高精度、高重复性、尺寸小、高可靠度及低成本等优点。汉威已投入薄膜IPD制程技术开发多年,其制程涵盖: 微影制程制程技术、薄膜沉积程制程技术、蚀刻制程技术、电镀制程技术。


GaN HEMT元件制程

从4G 到5G的飞跃,氮化镓(GaN)高电子迁移率电晶体(HEMT)具有高电子迁移率、宽能隙能量以及高介电强度,与矽基材(Si)相较,可在高电压和高温环境下工作,显示在未来微波放大和电能转换领域占有重要地位。GaN-on-SiC 技术可以提供更高效和更可靠的功能,以提供更清晰的通信。
 

GaN HEMT应用在微波领域的优势

更高效率:降低功耗,节省电能,降低散热成本,降低总运行成本。更大的宽频:提高资讯携带量,用更少元件实现多频率覆盖,降低终端产品成本。适用于扩频通信、电子对抗等领域。更高的功率:在 4GHz以上频段可以输出与砷化镓高得多的频率,特别适合雷达、卫星通信、中继通信等领域。

IoT万物联网应用

精选物联网用开关

汉威光电为IoT物联网Sub-1G的应用,提供一系列从SPDT到 SP8T,低差损、高隔离度与高增益的射频开关产品。

Part No. Type Frequency Insertion Loss Isolation P1dB Package
(GHz) (dB) (dB) (dBm) (mm)
HWS486 SPDT Terminated
Switch
DC-6.0 0.5-0.6 22-29 36@+3V USON6L
(1.5x1.5x0.4)
HWS504 SPDT 0.5-6.0 0.4-0.5 20-23 32@+3V USON6L
(1.5x1.5x0.4 )
HWS520 SP3T 0.5-6.0 0.5-0.9 25 30@+3V USON8L
(1.5x1.5x0.4)
HWS531 SPDT Terminated
Switch
0.5-6.0 0.7-1.1 25-31 39@+3V USON6L
(1.5x1.5x0.4 )
HWS541  SPDT 2.0-6.0 0.35-0.55 25-27 31@+3V LUSON6L
(1x1x0.4)
HWS554 SP4T
(w/ decoder)
0.5-3.8 0.45-0.50 26-37 P0.1dB XQFN14L
(2x2x0.55)
37.5@+2.6V
HWS556 SP6T
(w/ decoder)
0.5-3.8 0.45-0.55 25-35 P0.1dB XQFN14L
(2x2x0.55)
37.5@+2.6V
HWS558 SP8T
(w/ decoder)
0.5-3.0 0.50-0.75 20-34 P0.1dB XQFN14L
(2x2x0.55)
37.5@+2.6V
移动设备快充应用



 

汉威光电创新的应用了GaN(氮化镓)材料的卓越性能,成功开发出导通电阻低于硅,甚至比机械继电器触点更好的氮化镓功率
开关晶体管,汉威
GaNFET设计具有前所未闻的高效率,小尺寸和极低的热损失。

 

High Efficiency

High Switching Speed

Smaller & Lighter

Energy Saving


 精选HexaGaN功率开关晶体管

 

GaN Power FET组件制程

氮化镓高电子能量的特性使其拥有极高的电能转换效率和优秀的高频特性。氮化镓功率市场中大部分应用仍然是电源相关应用,例如手机的快速充电,以及大瓦数电源供应器等。另外,光达(LiDAR )应用是高阶解决方案也可充分利用氮化镓功率组件中的高频开关特性。
 

氮化镓应用在电力电子领域的优势

高转换效率:氮化镓的禁带宽度是硅的 3 倍,击穿电场是硅的 10 倍。同样额定电压的氮化镓开关功率器件的导通电阻比硅器件低许多,可大大降低开关的导通损耗。高工作频率:氮化镓开关器件寄生电容小,可以让整个系统周边如电容、变压器…… 等磁性组件的数量变少或尺寸变小,减小体积及原材料的消耗。高使用环境温度:氮化镓的禁带宽度高达 3.4eV本征电子浓度极低,电子不容易被激发,因此氮化镓器件可以工作在相对高温环境下。