有鉴于无线通信之发展日益蓬勃,对高质量通讯之需求日益殷切,汉威光电于1991年成立台湾第一家砷化镓组件制造厂,提供砷化镓组件及高频通讯模块,以满足高频无线通信之需要,并于2022年正式转型成为无晶圆厂半导体公司。

主要业务为微波砷化镓IC及微波通讯用组件,在微波线路设计及砷化镓IC生产方面具有极为深厚之研发能力。研发之微波产品包含L, C Band高功率模块、S Band VCO 及 PLL、S及Ku Band低噪声降频器、S Band传送/接收器、RF Switch MMIC等砷化镓组件技术方面。

随着5G通讯、电动车、碳中和….等趋势加速展开,因第三代半导体氮化镓(GaN)其宽能隙具备更高效节能、更高功率等优势,汉威光电挟过去砷化镓高频产品的开发经验,也投入节能相关组件开发,创新的应用了氮化镓(GaN)材料的卓越性能,成功开发出导通电阻低于硅,甚至比机械继电器触点更好的氮化镓功率开关晶体管,汉威GaNFET设计具有前所未闻的高效率,小尺寸和极低的热损失。

 
公司沿革 - Milestone

2022

正式转型成为无晶圆厂半导体公司

2019

 隆达电子入股

2016

 产学合作开发GaN组件技术

2003

 GaAs pHEMT Switch 量产

2001

 4吋MESFET Switch 量产

2000

 4吋晶圆生产制造

1997

 1.9 GHz 功率模块 / 2.4 GHz wireless LAN设备生产

1996

 900 MHz展频射频模块生产

1994

 高频单晶集成电路(MMIC)晶圆制造,GaAs RF Switch制造

1992

 3吋晶圆生产制造

1991

 成立

经营理念
 

 

 
          探索半导体产业的无限可能



          以创新与服务成为化合物半导体的卓越领先企业


          热情务本、追求卓越、关怀贡献